《炬豐科技-半導體工藝》TSV晶片中超臨界二氧化碳電鍍銅引數研究2021-10-26 TAG: 電鍍TSV超臨界銅柱電流密度本研究利用電感耦合等離子體反應離子刻蝕(ICP RIE)工藝技術刻蝕矽通孔,討論了不同的超臨界CO2電鍍引數,如超臨界壓力、電鍍電流密度對TSV銅柱填充時間、伏安曲線、電阻和氣密性的影響...[檢視更多]