文|科技在前方

如果說，2018年中興晶片被美國製裁是一起教訓的話，那麼2019年乃至2020年美國加大對華為晶片的制裁，就徹底吹響了發展“中國芯”的集結號。中興和華為這兩起事件讓我國科技企業明白了，在核心半導體業務上自主研發的重要性。

在逐步地意識到自主研發的重要性後，我國重點科研單位中國科學院也已對外宣佈，將把光刻機等高階晶片技術列入科研任務，防止遭遇“卡脖子”。

光刻機是晶片製造最核心裝置之一，沒有光刻機晶片是根本製造不出來，而世界上最先進的EUV光刻機又掌握在荷蘭的ASML手中。簡單的講，如果沒有ASML的EUV先進光刻機，就無法生產出現如今華為的麒麟9000和蘋果A14晶片。

可以預見，ASML的EUV光刻機對於晶片製造企業有多麼重要的位置，目前擁有EUV光刻機最多的就屬臺積電和三星，因此也只有這兩家可以代工基於5nm工藝的晶片生產。

其實，我國晶片代工企業中芯國際也曾花費近10億元，向ASML採購過一臺EUV先進光刻機，但是在美國的阻撓下，至今並未拿到。沒有EUV先進的光刻機，就大大的阻礙了中國晶片的發展，業內人士普遍認為，只有EUV光刻機才能代工7nm工藝的晶片。

這就是中芯國際，在突破了14nm工藝後，一直無法突破7nm工藝的原因之一。然而，近日有最新訊息傳來，中芯國際取得了大跨步！中芯國際在公共互動平臺正式宣佈，該公司將在2020年底小批次試產第二代FinFET N+1工藝，目前這批晶片已經進入客戶匯入階段。

需要了解的是，在2019年，中芯國際完成的第一代FinFET工藝，此工藝屬於中芯國際特有的製造工藝，雖然只能夠實現14nm晶片的量產，但相較於普通的14nm要先進一些。

而第二代FinFET N+1工藝相較於第一代14nm工藝，效能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%。因此外界普遍認為，中芯國際在突破了第二代N+1工藝後，已經初步具備了製造7nm晶片的實力。也就是說，中芯國際這次宣佈，標誌著我國無需EUV光刻機也能生產7nm工藝晶片了，國產晶片進入高階市場。

其實，中芯國際梁孟松博士已透露，在功率和穩定性方面，N+1和7nm工藝已經非常接近，唯一區別在於效能方面，N+1工藝的提升較小，市場基準的效能提升應該是35%。所以，中芯國際的N+1工藝是面向低功耗應用領域的。

這也就意味著，中芯國際的N+1技術已經跟7nm工藝非常接近了，只能說在功耗和穩定性上可以與7nm工藝相提並論，但是效能上還是有差距的。不過，雖然中芯國際與最先進的晶片代工商臺積電、三星等還是有差距，但是目前取得的成就實屬不易，因為目前全球能代工14nm工藝的也僅有6家，包括中芯國際。

要知道，中芯國際在不借助EUV先進光刻機就有接近7nm工藝的水平，如果有EUV光刻機，那麼中芯國際的N+1工藝勢必會比7nm工藝更加先進。準確的說，中芯國際在無需EUV光刻機的情況下，並未完全突破7nm工藝，但是相信距離真正的突破也指日可待了。

另外，中芯國際除了帶來最新N+1工藝量產的訊息外，12月4日媒體報道，中芯國際宣佈旗下子公司中芯控股將和國家積體電路基金II、亦莊國聯手成立合資企業。據悉，該合資企業的總投資達到了76億美元（約500億人民幣），而中芯國際出資25。5億美元。

中芯國際這家新公司的成立，主要是為了擴大12英寸晶圓的產能以及涉足積體電路封裝行業，並與中芯國際最近的突破也有關係。

不難想象，中國科學院已對光刻機等核心材料“卡脖子”領域進行突破，中芯國際作為國內晶片代工企業的領頭羊，也誓要對EUV光刻機技術進行突破。當我們集中全國的科技力量攻克生產難題，中國晶片產業就算有再大的難題，也會有“彎道超車”的那天，中國芯的春天真的開始到來了，讓我們拭目以待吧！

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